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J-GLOBAL ID：200903070664340724

超伝導接合素子およびその製造方法

Inventor： 鈴木 実 ,  久保 衆伍 ,  宮原 一紀 ,  狩元 慎一 ,  ▲鶴▼ 浩二 ,  田辺 圭一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994293552
Publication number (International publication number)：1996153904
Application date： Nov. 28, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 集積化のためのプロセスが可能であり、負のジョセフソン電流をなどの新しい現象を示す超伝導接合素子およびその製造方法を提供すること。【構成】 結晶方位が一定の方向にそろっている超伝導体1、2が2ヶ所においてトンネル接合・弱接合して一つのループを形成し、超伝導体1の基本結晶方位が接合1の接合面の法線とループ平面内でなす角度をθ11、超伝導体1の基本結晶方位が接合2の接合面の法線とループ平面内でなす角度をθ12、超伝導体2の基本結晶方位が接合面1となす角をθ21、超伝導体2の基本結晶方位が接合面2となす角をθ22とした場合、θ11、θ12、θ21とθ22の4個の角度のうち1個が0からπ/4の範囲にあり他の3個がπ/4からπ/2の範囲にあるか、またはθ11、θ12、θ21とθ22の4個の角度のうち1個がπ/4からπ/2の範囲にあり他の3個が0からπ/4の範囲にあることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

各超伝導体の内部では結晶方位が一定の方向にそろっているような2個の超伝導体(超伝導体1および超伝導体2)より構成され、それぞれの超伝導体が2ヶ所においてトンネル接合または弱結合によって連結されて全体として平面内で2個の接合(接合1および接合2)を含む一つのループを形成し、超伝導体1の基本結晶方位が接合1の接合面の法線とループ平面内でなす角度をθ11、超伝導体1の基本結晶方位が接合2の接合面の法線とループ平面内でなす角度をθ12、同様に超伝導体2の基本結晶方位が接合面1となす角をθ21、超伝導体2の基本結晶方位が接合面2となす角をθ22とした場合、θ11、θ12、θ21とθ22の4個の角度のうち1個が0からπ/4の範囲にあり他の3個がπ/4からπ/2の範囲にあるか、またはθ11、θ12、θ21とθ22の4個の角度のうち1個がπ/4からπ/2の範囲にあり他の3個が0からπ/4の範囲にあることを特徴とする超伝導接合素子。