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J-GLOBAL ID：200903070668278160

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993107664
Publication number (International publication number)：1994296041
Application date： Apr. 08, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 p型窒化ガリウム系化合物半導体に電流が均一に流れるような電極を形成することにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光層の発光を均一化させ発光素子の発光効率を向上させる。【構成】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたp型電極と、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面からエッチングされて露出されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたn型電極とを具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型電極は前記n型電極との距離に比例して面積が大きくなるように形成されている。

Claim (excerpt)：

p型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたp型電極と、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体層の上面からエッチングされて露出されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されたn型電極とを具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型電極は前記n型電極との距離に比例して面積が大きくなるように形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。