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J-GLOBAL ID：200903070671929555

CVD薄膜形成プロセス及びCVD薄膜製造装置

Inventor：
来田 勝継

About 来田 勝継

, 
齋藤 昌幸

About 齋藤 昌幸


Applicant, Patent owner：
田中貴金属工業株式会社

About 田中貴金属工業株式会社


Agent (1)： 田中 大輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000242108
Publication number (International publication number)：2001342566
Application date： Aug. 10, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】原料となる有機金属化合物のロスがなく、金属又は金属酸化物薄膜の製造コストを低減することのできるCVDプロセスと、それを可能とするCVD薄膜製造装置とを提供する。【解決手段】有機金属化合物を再利用するCVD薄膜プロセスであり、排気ガスから有機金属化合物を回収する工程と、それを精製する工程からなる。回収方法としては、(1)排ガスを冷却して回収する方法、(2)溶媒に排ガスを接触させ、有機金属化合物を溶解させて回収する方法、(3)吸着剤に排ガスを接触させ、有機金属化合物を吸着させて回収する方法のいずれかが採られる。また、精製方法としては、(1)回収分を蒸留する方法、(2)回収分を昇華させる方法、(3)吸着剤を加熱して有機金属化合物を脱着させる方法のいずれかが採られる。また、回収工程前に排ガスから酸素を除去する工程を追加することで、有機金属化合物をより高収率で回収、精製することができる。
Claim (excerpt)：
有機金属化合物を加熱し気化させてソースガスを製造する気化工程と、前記ソースガスを基板上に導入し、基板表面で反応させて金属又は金属酸化物薄膜とする薄膜形成工程と、前記薄膜形成工程で生じる反応生成物と未反応のソースガスとを含む排ガスを冷却することにより、前記未反応のソースガスを凝縮又は凝固させて液体又は固体の有機金属化合物を含む回収分を得る回収工程と、前記回収分中の有機金属化合物を分離し精製する精製工程とを含むCVD薄膜形成プロセス。
IPC (3)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31
FI (3)：
C23C 16/44 E ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B
F-Term (21)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030CA04 ,  4K030EA12 ,  4K030EA13 ,  4K030FA10 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF13 ,  4M104HH20 ,  5F045AA04 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045BB08 ,  5F045EG08 ,  5F045EG09 ,  5F045GB11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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