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J-GLOBAL ID：200903070672115594

アクティブマトリックス基板の製造方法

Inventor： 松尾 睦
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998331033
Publication number (International publication number)：1999218788
Application date： Aug. 23, 1989
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】画素開口率の高いアクティブマトリックス基板の製造方法を提供する。【解決手段】定電圧共通線を形成し、その上に絶縁膜を介して薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域と付加容量の第1電極となる半導体層を形成し、その上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に平行配置したデータ線群からなる第1の配線層と、前記データ線群と直交する走査線群からなる第2の配線層と、該配線群の交点には、データ線にソース電極、走査線にゲート電極、透明画素電極にドレイン電極が連結する薄膜トランジスターと、該ドレイン電極と連結する電極と誘電体膜隔てて対向する定電圧共通線群からなる第3の配線層とから構成されるアクティブマトリックス基板において、第1の配線層または第2の配線層と、第3の配線層が近接または重畳し、前記配線層間に第1の絶縁膜、薄膜トランジスターの半導体薄膜、第2の絶縁膜がはさまれていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343

FI (2)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343