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J-GLOBAL ID：200903070681667702

ヘテロポリオキソメタレート化合物およびその製造方法

Inventor：
水野 哲孝

About 水野 哲孝

, 
米原 宏司

About 米原 宏司


Applicant, Patent owner：
株式会社日本触媒

About 株式会社日本触媒


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006352121
Publication number (International publication number)：2008162917
Application date： Dec. 27, 2006
Publication date： Jul. 17, 2008
Summary：
【課題】新規なヘテロポリオキソメタレート化合物を提供するものであり、従来のヘテロポリオキソメタレート化合物では成し得なかった性能の発現が期待される。【解決手段】ヘテロ原子がケイ素、リン、もしくはゲルマニウムであり、かつ、ポリ原子がモリブデン、タングステン、バナジウムからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素である二欠損構造部位含有へテロポリオキソメタレートアニオン(A)の欠損構造部位に、7〜10族より選ばれる少なくとも一種の元素(B)が導入されており、かつ、一つのヘテロポリオキソメタレートアニオンに結合した互いに隣接する元素(B)同士が、一つの酸素を介して結合するモノミューオキソ部位を有することを特徴とするヘテロポリオキソメタレート化合物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
ヘテロ原子がケイ素、リン、もしくはゲルマニウムであり、かつ、ポリ原子がモリブデン、タングステン、バナジウムからなる群より選ばれる少なくとも一種以上の元素である二欠損構造部位含有へテロポリオキソメタレートアニオン(A)の欠損構造部位に、7〜10族より選ばれる少なくとも一種の元素(B)が導入されており、かつ、一つのヘテロポリオキソメタレートアニオンに結合した互いに隣接する元素(B)同士が、一つの酸素を介して結合するモノミューオキソ部位を有することを特徴とするヘテロポリオキソメタレート化合物。
IPC (3)：
C07F 15/00 ,  B01J 31/34 ,  C07F 19/00
FI (3)：
C07F15/00 A ,  B01J31/34 Z ,  C07F19/00
F-Term (37)：
4G169AA02 ,  4G169AA08 ,  4G169BA36A ,  4G169BB07A ,  4G169BB07B ,  4G169BC03B ,  4G169BC23A ,  4G169BC54A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BC61A ,  4G169BC65A ,  4G169BC66A ,  4G169BC66B ,  4G169BC69A ,  4G169BC70A ,  4G169BC70B ,  4G169BD01A ,  4G169BD01B ,  4G169BD04A ,  4G169BD04B ,  4G169BD05A ,  4G169BD05B ,  4G169BD06A ,  4G169BD06B ,  4G169BD07A ,  4G169BD12B ,  4G169CB07 ,  4G169CB75 ,  4G169EC25 ,  4G169FA01 ,  4G169FB08 ,  4H050AA01 ,  4H050AB40 ,  4H050WB19 ,  4H050WB21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 日本国特許公開第2001-240561号公報明細書
  • 国際公開第02/072257号公報明細書
  • 日本国特許公開第2003-64007号公報明細書 このように、二欠損型ヘテロポリオキソメタレートの欠損部位に遷移金属元素を導入することができることは広く知られているものの、7〜10族より選ばれる少なくとも一種の元素を導入したモノミューオキソ型ヘテロポリオキソメタレート化合物の合成方法は、その技術的な困難さから未だ確立されておらず、構造も明確に同定されていなかった。
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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