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J-GLOBAL ID：200903070689090528

半導体装置

Inventor： 前田 光英
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993042467
Publication number (International publication number)：1994260631
Application date： Mar. 03, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：

【要約】【目的】 オン電圧の性能を損なうことなく高速化を図る。【構成】 N- 型半導体基板11の一側にN+ 型カソード領域12を備えるとともに、他側にP+ 型アノード領域13を備え、かつ、これらのカソード領域12とアノード領域13の間に電流通路となるN- 型高比抵抗領域14を備え、この高比抵抗領域14を流れる電流を制御するP+ 型ゲート領域15を備えている。そして、前記高比抵抗領域14は最大電界強度の高い材料であるSiCあるいはダイヤモンドで構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一側にカソード領域を備えるとともに、他側にアノード領域を備え、かつ、これらのカソード領域とアノード領域の間に電流通路となる高比抵抗領域を備え、前記高比抵抗領域を流れる電流を制御するゲート領域を備えた半導体装置において、前記高比抵抗領域を最大電界強度の高い材料で構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/74 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/804

FI (2)：

H01L 29/78 321 B ,  H01L 29/80 V