Pat
J-GLOBAL ID：200903070702113443
磁電変換素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995076484
Publication number (International publication number)：1996274386
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【目的】 実用においてより広範囲な温度範囲で、より広範囲な磁界中でも安定に動作するGMR効果を用いた磁電変換素子を提供することにある。【構成】 基板5上に形成された、少なくとも第1磁性層1/非磁性層3/第2磁性層2/希土類-遷移金属合金層4より構成され、上記第2磁性層2と希土類-遷移金属合金層4とは交換結合し、かつ第2磁性層2と希土類-遷移金属合金層4全体の磁化容易方向が膜面内にあり、また希土類-遷移金属合金層4の組成は室温で希土類優勢であり、更に非磁性層3の主成分はCuであって、かつ層厚が1.5nm以上であるとする。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された、少なくとも第1磁性層/非磁性層/第2磁性層/希土類-遷移金属合金層より構成され、上記第2磁性層と希土類-遷移金属合金層とは交換結合し、かつ第2磁性層と希土類-遷移金属合金層全体の磁化容易方向が膜面内にあり、また希土類-遷移金属合金層の組成は室温で希土類優勢であり、更に非磁性層の主成分はCuであって、かつ層厚が1.5nm以上であることを特徴とする磁電変換素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Return to Previous Page
