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J-GLOBAL ID：200903070702798292

薄膜コンデンサ

Inventor： 大石 知司 ,  高橋 研 ,  中澤 哲夫 ,  田中 滋 ,  三吉 忠彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995232308
Publication number (International publication number)：1996097532
Application date： Jul. 11, 1990
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】残留有機物の少ない化学量論比のそろった高分子金属ポリマ薄膜が低温で熱処理しない方法で得られる薄膜コンデンサを提供する。【構成】分解開始温度が300°C以下である基板上に形成された無機ポリマ薄膜の炭素量が0.01 乃至4原子%であって、C-H結合を含み、実質的に金属酸化物からなる非結晶の無機ポリマであることを特徴とする薄膜コンデンサ。【効果】残留有機物の少ない化学量論比のそろった高分子金属ポリマ薄膜からなる薄膜コンデンサが低温で熱処理しない方法で得られる。

Claim (excerpt)：

基体に形成された薄膜コンデンサにおいて、高分子アモルファス金属酸化物薄膜からなり、化学量論組成で85原子%以上の酸素含有率を有し、及び/または前記薄膜の残留炭素量が0.01 乃至4原子%であることを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (11)：

H05K 1/16 ,  B01J 19/12 ,  C01B 13/32 ,  C01B 17/20 ,  C01B 33/12 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/02 ,  C01G 23/04 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 ,  H01L 21/314

FI (2)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-182155
  
• 特開昭62-252123
  
• 特開昭61-010223