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J-GLOBAL ID：200903070711421916

厚膜ガスセンサおよびその製造方法

Inventor： 津田 孝一 ,  長瀬 徳美 ,  石井 孝志
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993227661
Publication number (International publication number)：1995035716
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】抵抗値の経時安定性と、初期鳴動特性に優れる厚膜ガスセンサを得る。【構成】基板1に対して酸化スズに白金を担持した第一の被覆層3と、酸化パラジウムの薄膜である第一の触媒層4と酸化スズからなる感ガス層5と、酸化パラジウムの薄膜である第二の触媒層6と、酸化スズに白金を担持した第二の被覆層7を順次積層する。

Claim (excerpt)：

金属酸化物半導体の抵抗値の変化を利用してガスの有無を検出する厚膜ガスセンサであって、(1)基板と、(2)一対の電極と、(3)第一の酸化燃焼層と、(4)感ガス層と、(5)第二の酸化燃焼層とを包含し、基板はガスセンサの支持体であり、一対の電極は基板上に離間して直接的に被着され、第一の酸化燃焼層は基板と一対の電極上に選択的に積層され、感ガス層は第一の酸化燃焼層と一対の電極上に選択的に積層され、第二の酸化燃焼層は感ガス層の全部を被覆して積層され、第一の酸化燃焼層は金属酸化物担体に貴金属触媒を担持してなり、第二の酸化燃焼層は金属酸化物担体に貴金属触媒を担持してなり、感ガス層は金属酸化物半導体に酸化コバルト,酸化マンガン,酸化ニッケル,酸化銅,酸化鉄,酸化亜鉛,酸化クロム,酸化バナジウム,酸化チタン,酸化アルミニウムの群から選ばれた少なくとも一つを含有させてなることを特徴とする厚膜ガスセンサ。