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J-GLOBAL ID：200903070713208241

シリコンウェハーと炭素材との複合材

Inventor： 川村 憲明 ,  津島 栄樹
Applicant, Patent owner： 株式会社先端材料
Agent (1)： 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997363679
Publication number (International publication number)：1998233475
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高速処理用あるいは高出力用半導体パッケージの半導体素子部分の発熱による温度上昇を防ぐために、銅、アルミニウム等の安価な金属基板を直接接着した場合にも、半導体パッケージ製作工程及び使用時の熱ショック、熱サイクルに対し、剥がれ、クラック等の欠陥を生じさせない複合材を提供する。【解決手段】 シリコンウェハー又は化合物半導体ウェハー、接着層及び熱応力緩和炭素材(好ましくは厚み方向の熱伝導率が50W/m・K以上である厚さ0.1〜1mmの炭素材からなる)の平板からなるものとする。

Claim (excerpt)：

シリコンウェハー又は化合物半導体ウェハーの一方の面上に接着層を介して熱応力緩和炭素材の平板を設けてなることを特徴とする複合材。

IPC (4)：

H01L 23/373 ,  C04B 37/00 ,  C04B 37/02 ,  H01L 21/02

FI (4)：

H01L 23/36 M ,  C04B 37/00 A ,  C04B 37/02 A ,  H01L 21/02 B