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J-GLOBAL ID：200903070723156673

半導体ウェハ反り量の低減方法

Inventor： 日高 昇 ,  塩川 国夫 ,  片倉 英明
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001375356
Publication number (International publication number)：2003179022
Application date： Dec. 10, 2001
Publication date： Jun. 27, 2003
Summary：

【要約】【課題】例えば縦型半導体素子のように、ウェハの片面側を研削した際に発生する反りを低減する。【解決手段】ウェハの片面側を、例えばハロゲンランプ照射により瞬間的に加熱し、加工変質層を回復させる。ハロゲンランプ照射を10秒間以下の短時間に止め、到達温度を600°C以下に制限して、表面側のデバイスへの悪影響を避けることが重要である。

Claim (excerpt)：

半導体ウェハの片面を研削する際に生じる反りを、反りの凸側の片面を短時間加熱することによって低減することを特徴とする半導体ウェハ反り量の低減方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭54-012587
  
• 特開昭59-101788
  
• 特開昭54-012587
  
• 特開昭59-101788