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J-GLOBAL ID：200903070754163520

窒化物単結晶の製造方法

Inventor： 折戸 文夫 ,  川端 神一郎 ,  和田 隆
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社
Agent (1)： 長谷川 曉司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002076167
Publication number (International publication number)：2003277182
Application date： Mar. 19, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】アモノサーマル法を用い、簡易かつ経済的な工程によって、不純物の汚染を防止し、大きな塊状単結晶が収率良く得られる周期表13族元素窒化物の塊状単結晶製造方法を提供。【解決手段】ニッケル及びクロムを含有する合金から構成された反応容器内で、周期表13族元素のうち少なくとも1つの元素を含む周期表13族元素の多結晶窒化物を原料とし、窒素原子を有する鉱化剤を含有させた溶媒とともに該高温高圧の反応容器の原料充填部に供給し、反応容器内の育成部に設置した種結晶との間に温度勾配を設けること、アモノサーマル的に結晶成長を行う。

Claim (excerpt)：

周期表13族元素の窒化物の塊状単結晶を製造する方法において、ニッケル及びクロムを含有する合金から構成された反応容器内で、周期表13族元素の多結晶窒化物を原料として該反応容器の原料充填部に供給し、種結晶を育成部に設置し、アモノサーマル的に結晶成長を行うことを特徴とする周期表13族元素の窒化物の塊状単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 7/10 ,  B01J 3/00 ,  B01J 3/04 ,  C30B 29/38

FI (5)：

C30B 7/10 ,  B01J 3/00 A ,  B01J 3/04 A ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D

F-Term (10)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CB04 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ09 ,  4G077KA01 ,  4G077KA03 ,  4G077KA11 ,  4G077KA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平1-272737
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• AMMONO method of GaN and AlN production