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J-GLOBAL ID：200903070756504774

半導体記憶装置

Inventor： 島田 勝人
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001443
Publication number (International publication number)：1993190797
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 PZT305の周りを拡散防止膜である窒化珪素膜304で囲み、PZTの製造工程中および、半導体記憶装置動作時でのPZT305の特性劣化を防ぎ、PZT305を挟む上下の窒化珪素膜304の膜厚を30A以下とし、キャパシタの容量30fF以上を確保することを目的とする。【構成】 MOSトランジスタが集積化されたシリコン基板上に窒化珪素膜304で周りを囲まれたPZT305が集積化されている。

Claim (excerpt)：

強誘電体膜が能動素子の形成された同一半導体基板上に集積された半導体記憶装置に於て、前記強誘電体膜のまわりに窒化珪素膜が具備されており、前記強誘電体膜の上下に配置された前記窒化珪素膜の膜厚が30A以下であることを特徴とする半導体記憶装置。