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J-GLOBAL ID：200903070758737539

半導体装置

Inventor： 鈴木 和明 ,  安藤 尚 ,  ▲松▼村 孝 ,  周藤 俊之
Applicant, Patent owner： ソニーケミカル株式会社
Agent (1)： 田治米 登 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999099320
Publication number (International publication number)：2000294577
Application date： Apr. 06, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 厚みが薄く、エッジショートの発生もない半導体装置を提供する。【解決手段】 加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板2に保持された半導体素子1を含む半導体装置において、半導体素子1のダイシング面1aが樹脂基板2から露出せず且つ半導体素子1の接続端子1dが外部回路3と接続可能となるように、半導体素子1を加圧又は加圧加熱することにより樹脂基板2を変形させながら樹脂基板2中に埋設する。

Claim (excerpt)：

加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板に保持された半導体素子を含む半導体装置において、半導体素子のダイシング面が樹脂基板から露出せず且つ半導体素子の接続端子が外部回路と接続可能となるように、半導体素子が樹脂基板中に埋設されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/56 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077 ,  H01L 21/52

FI (4)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/52 Z ,  G06K 19/00 H ,  G06K 19/00 K

F-Term (19)：

5B035AA00 ,  5B035AA04 ,  5B035AA11 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035BC00 ,  5B035CA01 ,  5B035CA08 ,  5B035CA12 ,  5B035CA23 ,  5B035CA31 ,  5F047AA17 ,  5F047CA01 ,  5F047CB05 ,  5F047FA52 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA26 ,  5F061FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 情報担体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-147345   Applicant：日立マクセル株式会社
• 特開昭60-209888