Pat
J-GLOBAL ID:200903070762978680
タングステン化合物および金属タングステン膜の製造方法
Inventor:
,
,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大島 正孝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003375241
Publication number (International publication number):2005139090
Application date: Nov. 05, 2003
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】 良質の膜状の金属タングステンを安全なプロセスにより得ることができ、また空気中での取り扱いが容易な化学的気相成長のためのタングステン化合物およびそれを用いて金属タングステン膜を製造する方法を提供すること。【解決手段】 下記式(1) W(RCN)n(CO)6-n...(1) ここで、Rは炭素数1〜10の炭化水素基または炭素数1〜10のハロゲン化炭化水素基でありそしてnは0〜6の整数である。但し、nが2〜6の整数のとき、複数のRは互いに同一であっても異なっていてもよい。で表されるタングステン化合物およびこのタングステン化合物から化学的気相成長法により金属タングステン膜を製造する方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記式(1)
W(RCN)n(CO)6-n...(1)
ここで、Rは炭素数1〜10の炭化水素基または炭素数1〜10のハロゲン化炭化水素基でありそしてnは1〜6の整数である。但し、nが2〜6の整数のとき、複数のRは互いに同一であっても異なっていてもよい。
で表される化合物からなる、化学的気相成長のためのタングステン化合物。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (18):
4H050AA01
, 4H050AA03
, 4H050AB90
, 4H050WB13
, 4H050WB14
, 4H050WB21
, 4K030AA11
, 4K030AA12
, 4K030AA18
, 4K030BA20
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030FA10
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030JA11
, 4K030LA15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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多層配線の構造及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-214110
Applicant:日本電気株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-280988
Applicant:日本電気株式会社
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タングステンスパッタリングターゲット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-369989
Applicant:株式会社東芝
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窒化チタン基体へのタングステンの化学蒸着
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-536635
Applicant:トーキョーエレクトロンアリゾナインコーポレイテッド, 東京エレクトロン株式会社
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Cited by examiner (2)
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特開昭50-129492
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前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-122174
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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