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J-GLOBAL ID：200903070764035406

磁気抵抗メモリ

Inventor： 尾上 正樹
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000318350
Publication number (International publication number)：2002124648
Application date： Oct. 18, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 磁性層の酸化が無く、すなわち酸化による磁性層の磁性劣化が生じず、素子を微細化した場合であっても良好な磁気抵抗変化が得られる磁気抵抗メモリを提供する。【解決手段】 第1磁性層3と第2磁性層5が非磁性層(絶縁層4)を介して積層されてなる磁気抵抗効果膜の側面に、窒化物からなる絶縁体7を形成したこと特徴とする磁気抵抗メモリ。

Claim (excerpt)：

第1磁性層と第2磁性層が非磁性層を介して積層されてなる磁気抵抗効果膜の側面に、窒化物からなる絶縁体を形成したこと特徴とする磁気抵抗メモリ。

IPC (8)：

H01L 27/105 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08

FI (9)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 H ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

F-Term (18)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD54 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10