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J-GLOBAL ID：200903070768861149
半導体発光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
根本 進
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993208877
Publication number (International publication number)：1995045863
Application date： Jul. 29, 1993
Publication date： Feb. 14, 1995
Summary：
【要約】【構成】 p型半導体薄膜により構成される発光層6bと、この発光層6bにp-n接合するn型半導体薄膜により構成される電子注入層6aとを備える。その電子注入層6aのキャリヤ密度は発光層6bのキャリヤ密度よりも小さい。これにより、電子注入層6aの抵抗は発光層6bの抵抗よりも大きくなるので、電流は発光層6b内で拡がり部分的に集中して流れるのが防止される。【効果】 発光層内で電流が拡がるので発光域が拡がり光の利用効率を高くでき、さらに、電流が部分的に集中して流れることがないため早期劣化を防止できる。
Claim (excerpt)：
p型半導体薄膜により構成される発光層と、この発光層にp-n接合するn型半導体薄膜により構成される電子注入層とを備え、その電子注入層のキャリヤ密度は発光層のキャリヤ密度よりも小さくされている半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
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