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J-GLOBAL ID：200903070771503261

半導体装置の製造方法

Inventor： 福田 匡志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991182542
Publication number (International publication number)：1993029383
Application date： Jul. 23, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 TABフィルムと半導体チップをボンディングする際、塵や熱の影響を受け難くし、しかもガードリングを設けることなくボンディングを精度良く行い、TABフィルムと半導体チップの剥がれを生じ難くして信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供。【構成】 絶縁性フィルム1にリード部分を残して貫通穴2が形成され、該リード部分の該絶縁性フィルム1表面にリードとなる導電性膜3が形成され、該導電性膜3とコンタクトするように導電性バンプ4が形成されてなるTABフィルム5の該導電性バンプ4と半導体チップ6の導電性バンプ7のボンディングを、該半導体チップ6表面を保護できるように、かつ該導電性膜3が形成されている側と反対側の該リード部分の該絶縁性フィルム1上に絶縁性保護膜8を予め形成した後に行う。

Claim (excerpt)：

絶縁性フィルム(1)にリード部分を残して貫通穴(2)が形成され、該リード部分の該絶縁性フィルム(1)表面にリードとなる導電性膜(3)が形成され、該導電性膜(3)とコンタクトするように導電性バンプ(4)が形成されてなるTAB(Tape Aotomted Bonding)フィルム5の該導電性バンプ(4)と半導体チップ(6)の導電性バンプ(7)のボンディングを、該半導体チップ(6)表面を保護できるように、かつ該導電性膜(3)が形成されている側と反対側の該リード部分の該絶縁性フィルム(1)上に絶縁性保護膜(8)を予め形成した後に行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。