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J-GLOBAL ID：200903070771998023

ナノ構造の形成方法

Inventor： 姜 閏 浩 ,  崔 秉 龍
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (5)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004301277
Publication number (International publication number)：2005217390
Application date： Oct. 15, 2004
Publication date： Aug. 11, 2005
Summary：

【課題】 ナノ構造の形成方法を提供する。【解決手段】 基板上にフォトレジスト層を形成する段階と、フォトレジスト層上にナノ構造体を形成する段階と、ナノ構造体が形成された基板に光を照射してフォトレジスト層を感光する段階と、感光されたフォトレジスト層を現像する段階及び現像されたフォトレジスト層を利用して基板をドライエッチングすることによって基板にナノ構造を有させる段階と、を含むナノ構造の形成方法。したがって、あらかじめ製造されたナノ構造体をフォトレジスト層に形成した後、SPRを適用することによって既存の工程に簡単に適用でき高効率の工程で短時間に大面積の基板にナノ構造を簡単に形成できる。【選択図】 図1E

Claim (excerpt)：

基板上にフォトレジスト層を形成する段階と、 前記フォトレジスト層上にナノ構造体を形成する段階と、 前記ナノ構造体が形成された前記基板に光を照射して前記フォトレジスト層を感光する段階と、 前記感光されたフォトレジスト層を現像する段階と、 前記現像されたフォトレジスト層を利用して前記基板をドライエッチングすることによって前記基板にナノ構造を有させる段階と、を含むことを特徴とするナノ構造の形成方法。

IPC (4)：

H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38

FI (4)：

H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  G03F7/20 521 ,  G03F7/38 501

F-Term (12)：

2H096AA24 ,  2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA20 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA30 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  5F046AA28