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J-GLOBAL ID：200903070774373229

超伝導素子、及びその製造方法

Inventor： 本津 茂樹 ,  仲森 昌也 ,  田畑 仁 ,  藤巻 朗 ,  石井 順也 ,  川合 知二
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998043782
Publication number (International publication number)：1999243234
Application date： Feb. 25, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 安価な基板上に軸配向が整いかつ超伝導特性の優れた超伝導薄膜を有する超伝導素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板と、下地基板上に形成されたAl膜と、Al膜上に形成されたc軸配向YBCO膜と、から超伝導素子を構成する。下地基板とYBCO膜との間にAl膜を中間層として介在させることにより、その上に成膜するYBCO膜のc軸配向性を高めることができる。下地基板としてはアモルファス基板であっても良く、中でもYBCO膜と線膨張率のほぼ等しいソーダカリガラスが好適である。Al膜とc軸配向YBCO膜との間にアモルファス層を介在させることにより、成膜時および熱処理時の基板材料と超伝導材料との相互拡散を効果的に抑制することができる。このアモルファス層としては、AlOXを用いることが好適である。

Claim (excerpt)：

下地基板と、下地基板上に形成されたAl膜と、Al膜上に形成されたc軸配向YBCO膜と、からなることを特徴とする超伝導素子。

IPC (6)：

H01L 39/24 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/02

FI (7)：

H01L 39/24 B ,  C23C 14/08 L ,  C23C 14/14 B ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/02 B ,  H01L 39/02 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-274018
  
• 特開平1-259582
  
• 特開昭63-274018
  
• 特開平1-259582