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J-GLOBAL ID：200903070775010294
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992040878
Publication number (International publication number)：1993243666
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 サージ耐圧が大きい半導体レーザ装置を提供すること。【構成】 GaAs基板上101に複数の半導体薄膜102〜110を積層し、これらの薄膜内に活性領域を形成すると共に、光の導波方向に共振器端面を形成した半導体レーザ装置において、GaAs基板101の面方位を(100)から〈01-1〉方向に5°傾けることにより、端面破壊光出力よりも低い光出力で光導波モード(光モード或いは横モード9を変形させ、端面破壊に至る電流値を上昇させたことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に複数の半導体薄膜を積層し、該薄膜内に活性領域を形成すると共に、光の導波方向に共振器端面を形成した半導体レーザ装置において、端面破壊光出力よりも低い光出力で光導波モードを変形させ、端面破壊に至る電流値を上昇させてなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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