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J-GLOBAL ID：200903070777419769

薄膜作成方法及び装置

Inventor： 明田川 賢一 ,  酒井 純朗 ,  辰巳 徹 ,  村上 俊一 ,  室田 裕義
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社 ,  日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999209883
Publication number (International publication number)：2000100727
Application date： Sep. 20, 1991
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 この発明は真空容器内に反応ガスを供給し、気相中での分子間の相互作用反応が起らない圧力領域で反応ガスの利用効率を向上させることを目的としたものである。【解決手段】 真空容器内で、基板に対して反応ガス分子を供給して、基板の表面に薄膜を作成させるようにした薄膜作成方法において、薄膜作成時の真空容器内圧力を気相反応が実質的に起こらない圧力範囲に設定し、ガスソースから供給される反応ガスの一次分子に加えて、真空容器の真空側露出壁で散乱された反応ガス分子を用いて薄膜作成を行うことを特徴とする薄膜作成方法。

Claim (excerpt)：

真空容器内で、基板に対して反応ガス分子を供給して、基板の表面に薄膜を作成させるようにした薄膜作成方法において、薄膜作成時の真空容器内圧力を気相反応が実質的に起こらない圧力範囲に設定し、ガスソースから供給される反応ガスの一次分子に加えて、真空容器の真空側露出壁で散乱された反応ガス分子を用いて薄膜作成を行うことを特徴とする薄膜作成方法。