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J-GLOBAL ID：200903070780517712

基板上への珪化タングステンコーティングの堆積操作の事前に堆積チャンバのアルミニウムを有する表面を処理する予備処理プロセス

Inventor： スーザン テルフォード ,  有賀 美知雄 ,  メイ チャン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994242830
Publication number (International publication number)：1995172809
Application date： Oct. 06, 1994
Publication date： Jul. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、チャンバ内に微粒子を発生しない方法で、チャンバが清浄化された後に第1番目に処理される基板上に品質の高い珪化タングステンを形成するプロセスを提供する。【構成】 チャンバの清浄化のステップの事後に、アルミニウムを有する表面に対してシランとWF6 等のタングステンを有するガスとの混合物を用いて、シランベースの珪化タングステンの初期の堆積物を形成する処理を第1に含むプロセスによる、真空堆積チャンバ内のアルミニウムを有する表面の予備処理プロセスが開示される。好適な実施例では、このプロセスは、WF6 等のタングステンを有するガスとジクロロシラン等の塩素置換シランガスとの混合物を用いて、先に堆積された珪化タングステンの上に塩素置換シランベースの珪化タングステンの堆積物を形成する第2のステップにより、既にコーティングが施されているチャンバのアルミニウムを有する表面を続けて処理する工程を更に含んでいる。

Claim (excerpt)：

事前の清浄化のステップの後に真空堆積チャンバを予備処理するプロセスであって、a)ガス状タングステン供給源とシランガスとを含むガスをチャンバ内に流すことにより、該チャンバ内のアルミニウムを有する表面上に第1の珪化タングステン堆積物を形成するステップと、b)その後、ガス状タングステン供給源とクロロシランガスとを含むガスをチャンバ内に流すことにより、前記第1の珪化タングステン堆積物の上に第2の珪化タングステン堆積物を形成するステップとを含む予備処理プロセス。

IPC (2)：

C01B 33/06 ,  H01L 21/285 301