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J-GLOBAL ID：200903070795846070

半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor： 小水流 英昭
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991325564
Publication number (International publication number)：1993160170
Application date： Dec. 10, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の組立工程における前処理の改良に関し、簡単且つ容易にリードフレームや半導体チップやモールド樹脂の表面の汚染を除去することが可能となる半導体装置の製造方法及び製造装置の提供を目的とする。【構成】 樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体チップを搭載するリードフレーム1のダイパッド1aに、アルゴン酸素プラズマ或いは水素還元プラズマによるドライプロセス処理を施した後、この半導体チップをこのダイパッド1aに固着するように構成する。

Claim (excerpt)：

樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、半導体チップ(2) を搭載するリードフレーム(1) のダイパッド(1a)に、アルゴン酸素プラズマ或いは水素還元プラズマによるドライプロセス処理を施した後、前記半導体チップ(2) を前記ダイパッド(1a)に固着することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/50