Pat

J-GLOBAL ID：200903070796099678

強誘電体半導体装置のための有機物

Inventor： パク, ビョン-ウン
Applicant, Patent owner： イペロ カンパニー リミテッド
Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008533231
Publication number (International publication number)：2009510761
Application date： Sep. 07, 2006
Publication date： Mar. 12, 2009
Summary：

【課題】環境に優しく、低価格であり、強誘電特性に優れ、効率よく使用できる強誘電体半導体装置のための有機物を提供する。【解決手段】強誘電体有機物がβ相の結晶構造を有することを特徴とし、好ましくは強誘電体有機物がポリフッ化ビニリデン(PVDF)であり、さらに好ましくはPVDFを含む重合体、PVDF共重合体、PVDF三元共重合体、奇数ナイロン、シアノ重合体、これらの重合体、及びこれらの共重合体のうちの一つである。PVDFの場合はα、β、γ、δの4種類の結晶構造のうちβ相に固定すると良好なヒステリシス極性特性を有し、強誘電体半導体装置の強誘電体層として好適である。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造に使われる強誘電性物質において、 強誘電性有機物がβ相の結晶構造を有することを特徴とする強誘電体半導体装置のための有機物。

IPC (8)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/312

FI (6)：

H01L27/10 444A ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 280 ,  H01L21/312 A

F-Term (20)：

5F058AA07 ,  5F058AC05 ,  5F058AD06 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04 ,  5F058AH01 ,  5F083FR05 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA62 ,  5F101BB02 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BH16