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J-GLOBAL ID：200903070809606094

硼素含有窒化アルミニウム薄膜および製造方法

Inventor： 今井 貴浩 ,  内海 慶春 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994116524
Publication number (International publication number)：1995315998
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】BxAl1-xNy(0.001≦x≦0.7、0.85≦y≦1.05)なる組成のウルツ鉱型結晶構造を有する基板上に形成された薄膜であって、その膜厚が10nm以上30μm以下である硼素含有窒化アルミニウム薄膜。【目的】 窒化アルミニウムよりも高い硬度、広いバンドギャップ、大きな音速を有する基板上に形成された硼素含有窒化アルミニウム薄膜およびその製造方法を提供するもの。【構成】 BxAl1-xNy(0.001≦x≦0.7、0.85≦y≦1.05)なる組成を有する硼素含有窒化アルミニウム薄膜。

Claim (excerpt)：

BxAl1-xNy(0.001≦x≦0.7、0.85≦y≦1.05)なる組成と、ウルツ鉱型結晶構造を有し、厚さ10nm以上30μm以下であり基板上に形成されてなることを特徴とする硼素含有窒化アルミニウム薄膜。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭47-001370
  
• 特開昭59-217700
  
• 特開平3-010074
  
• 窒化アルミニウム薄膜の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-088172   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 化合物半導体の単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-062813   Applicant：三菱電線工業株式会社