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J-GLOBAL ID：200903070813498875

プラズマリアクタ内の半導体ウエハ処理用改善フォーカスリング

Inventor： グラハム ダブリュー. ヒルズ ,  ユー-ジア スー ,  ヨシアキ タナセ ,  ロバート イー. ライアン
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995079075
Publication number (International publication number)：1996102460
Application date： Apr. 04, 1995
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエハを処理する為のプラズマリアクタ内で、ウエハ周辺部付近のチャンバにおけるガス流速度を減少し、ウエハ周辺部にわたるプラズマ均一性を改善すること。【構成】 一態様において、本発明は半導体ウエハ(110)を処理するためのプラズマリアクタにおいて、ウエハ(110)周辺部付近のプロセスエッチング速度を減じる為にウエハ(110)の周辺部を囲むペデスタルフォーカスリング(114)と、そこから粒子汚染の通路を許容するペデスタルフォーカスリング(114)を通る複数の開口とを包含し、もって、ウエハ(110)周辺部付近の粒子汚染蓄積を減じる。別の態様において、チャンバ壁の腐食性磨耗を減じるために、除去可能なガス分配フォーカスリング(114)はプラズマリアクタの側壁を半導体ウエハ(110)の処理に伴う反応ガスから保護する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハを処理するためのプラズマリアクタであって、前記リアクタは、前記ウエハの周辺部を囲むペデスタルフォーカスリングと、粒子汚染のそこからの通過を許容する前記ペデスタルフォーカスリング内の通路手段と、を有するプラズマリアクタ。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46