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J-GLOBAL ID：200903070816846840

昇華方法

Inventor： 丸川 敏 ,  高田 善典
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 藤本 勉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993192056
Publication number (International publication number)：1995024205
Application date： Jul. 05, 1993
Publication date： Jan. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 昇華性物質を安定に蒸発させうる昇華方法の開発。【構成】 内部に開口率が5〜95%の熱伝導性多孔板(2)を1段又は2段以上設置してなる耐熱性坩堝(1)に昇華性物質の粉末(5)を収容し、前記坩堝の外部より加熱(4)して昇華性物質の粉末を昇華させる昇華方法。【効果】 昇華による単位時間あたりのガス発生量をほぼ一定にでき、昇華性物質の蒸着膜をほぼ一定の成長速度で形成できる。

Claim (excerpt)：

内部に開口率が5〜95%の熱伝導性多孔板を1段又は2段以上設置してなる耐熱性坩堝に昇華性物質の粉末を収容し、前記坩堝の外部より加熱して昇華性物質の粉末を昇華させることを特徴とする昇華方法。