ドーピング方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995128924
Publication number (International publication number)：1996306639
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体材料中のドーパントの均質性、格子欠陥の熱アニールによる修復率を改善するドーピング法を提供する。【構成】半導体材料に対して、該材料にN型もしくはP型の導電性を付与するドーピング処理で、イオン電流を3.5μA以上とする。また、半導体材料が設置されているステージの熱伝導率を2.0×10-2W/cm・deg 以下とする。

Claim (excerpt)：

半導体材料に対して、該材料にN型もしくはP型の導電性を付与するドーピング処理で、イオン電流を3.5μA以上とすることを特徴とするドーピング方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 , H01L 21/22 , H01L 21/324

FI (5)：

H01L 21/265 A , H01L 21/22 E , H01L 21/324 M , H01L 21/265 Z , H01L 21/265 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-002350 Applicant：日本電装株式会社
特開昭62-277719
特開平4-162432

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