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J-GLOBAL ID:200903070820953790
透明インジウム錫酸化物の電子ビーム蒸着方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川北 武長
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001553415
Publication number (International publication number):2003520296
Application date: Dec. 22, 2000
Publication date: Jul. 02, 2003
Summary:
【要約】基板上にインジウム錫酸化物の透明コーティングを成膜する方法であって、部分的な真空環境に前記基板を配置し、インジウム錫酸化物のコーティングを前記基板の少なくとも一部に成膜するまで、前記基板に隣接して酸素を提供するイオン源を動作させながら、錫酸化物を添加したインジウム酸化物粒体の電子ビーム蒸着を行う方法。
Claim (excerpt):
基板上にインジウム錫酸化物の透明コーティングを成膜する方法であって、部分的な真空環境に前記基板を配置し、インジウム錫酸化物のコーティングが、前記基板の少なくとも一部の上に成膜されるまで、前記基板に隣接して酸素を供給するイオン源を動作させながら、錫酸化物を添加したインジウム酸化物粒体の電子ビーム蒸着を行う方法。
IPC (3):
C23C 14/08
, C23C 14/48
, H01B 13/00 503
FI (3):
C23C 14/08 D
, C23C 14/48 D
, H01B 13/00 503 B
F-Term (12):
4K029BA45
, 4K029BC09
, 4K029CA02
, 4K029CA09
, 4K029DB05
, 4K029DB21
, 4K029DE02
, 4K029EA01
, 4K029EA03
, 4K029EA08
, 5G323BA02
, 5G323BB04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開昭62-010269
-
特開昭58-113373
-
特開昭64-055374
Article cited by the Patent:
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