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J-GLOBAL ID：200903070853529170

半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 淳 ,  青森 繁 ,  中谷 喜紀
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996331802
Publication number (International publication number)：1998173194
Application date： Dec. 12, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、比較的耐熱性の低い樹脂基板又は樹脂フィルム上に半導体装置が形成可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 被膜面をプラズマ中に曝すことなく樹脂基板11上に第1の無機絶縁体薄膜12を形成する工程と、被膜面をプラズマ中に曝しつつ第1の絶縁体薄膜12上に第2の無機絶縁体薄膜13を形成する工程と、第1の無機絶縁体薄膜上12又は第2の無機絶縁体薄膜13上に半導体薄膜14を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法とする。

Claim (excerpt)：

被膜面をプラズマ中に曝すことなく樹脂基板又は樹脂フィルム上に第1の無機絶縁体薄膜を形成する工程と、被膜面をプラズマ中に曝しつつ該第1の絶縁体薄膜上に第2の無機絶縁体薄膜を形成する工程と、前記第1の無機絶縁体薄膜上又は前記第2の無機絶縁体薄膜上に半導体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/473 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (8)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/473 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G