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J-GLOBAL ID:200903070867010010

エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 諸田 英二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996289214
Publication number (International publication number):1998114816
Application date: Oct. 11, 1996
Publication date: May. 06, 1998
Summary:
【要約】【課題】 吸湿の影響が少なく、特に半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいは封止樹脂とリードフレームとの剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、また電極の腐食による断線や水分によるリーク電流の発生もないエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。【解決手段】 (A)ビフェニル骨格及びフェノール骨格を有する多官能エポキシ樹脂、(B)テルペン変性フェノール樹脂、(C)無機質充填剤および(D)硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)無機質充填剤を25〜93重量%の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物である。また、この組成物の硬化物で、半導体チップが封止されてなる半導体封止装置である。
Claim (excerpt):
(A)次の一般式で示されるビフェニル骨格及びフェノール骨格を有する多官能エポキシ樹脂、【化1】(但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す)(B)次の一般式で示されるテルペン変性フェノール樹脂、【化2】(但し、式中n は 0又は 1以上の整数を表す)(C)無機質充填剤および(D)硬化促進剤を必須成分とし、樹脂組成物に対して前記(C)無機質充填剤を25〜93重量%の割合で含有してなることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
IPC (6):
C08G 59/32 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5):
C08G 59/32 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 B ,  H01L 23/30 R

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