Pat
J-GLOBAL ID：200903070869093762
1ウェーハに多品種の半導体装置を製造する方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992209898
Publication number (International publication number)：1994061116
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体装置の製造において、1ウェーハに多品種の半導体装置を製造すること。【構成】半導体装置の製造工程において、最初にウェーハの一部に液晶レチクル1を用いて認識コードを作り込み、ステッパの目合せ作業時に認識コードをセンタ5で識別し、コンピュータ6に送り、データベースを検索しウェーハ上の半導体装置の品種配置と個々の品種で使用すべきレチクルのデータをステッパに送り、そのデータを基にステッパで自動的にレチクルを交換して目合せを行う。また、イオン注入作業においても同様な事を行って、ウェーハ上の個々の品種に対応したイオンドーズ量に自動的に調整してイオン注入を行う。以上の作業によって1ウェーハに多品種の半導体装置が製造可能にある。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハの表面上に製造される半導体装置に於いて、前記ウェーハの一部に認識コードを形成するのに液晶レチクルを使用し、前記液晶レチクルで形成されたウェーハの一部の前記コードを認識後、自動的にレチクルの交換を行ってレチクルパターンをシリコンウェーハに焼き付け、前記液晶レチクルで形成されたウェーハの一部の前記コードを認識後、イオン注入ドーズ量の自動調整を行ってイオンを注入を行うことを特徴とする1ウェーハ上に多品種の半導体装置を製造する方法。
IPC (7)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
, G03F 9/00
, H01L 21/02
, H01L 21/265
, H01L 21/70
, H01L 21/82
H01L 21/30 311 L
, H01L 21/265 F
, H01L 21/30 301 C
, H01L 21/82 C
Cited by examiner (6)
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