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J-GLOBAL ID：200903070876463877

微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法

Inventor： 田中 幹宏 ,  石橋 健夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000038866
Publication number (International publication number)：2001228616
Application date： Feb. 16, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 露光によるレジストパターンの形成においては、波長による微細化の限界があり、これを超える必要がある。【解決手段】 酸を供給しうる下地レジストパターンの上を、酸の供給を受けて架橋する枠付け材料で覆う。この枠付け材料には、所定量の弱酸を添加するか、あるいは、熱分解で酸を生じる化合物を添加する。加熱により下地レジストパターン中から枠付け材料中に酸を移動させ、界面に生じた架橋層を下地レジストパターンの被覆層として形成し、レジストパターンを太らせる。これにより、レジストのホール径の縮小、分離幅の縮小をする。

Claim (excerpt)：

水溶性樹脂の1種類、又は前記水溶性樹脂の2種類以上の混合物、あるいは前記水溶性樹脂の2種類以上による共重合物を主成分とし、所定量の弱酸を添加してなり、水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を溶媒として溶解し、酸を供給する第一のレジストパターンの上に形成され前記第一のレジストパターンからの酸により前記第一のレジストパターンに接する部分で架橋反応を生じることにより架橋膜を形成し、非架橋部分は水または水と水溶性有機溶媒との混合溶媒を現像液として除去されることを特徴とする微細パターン形成材料。

IPC (4)：

G03F 7/095 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/095 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (22)：

2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE01 ,  2H025BE07 ,  2H025CB06 ,  2H025CB07 ,  2H025CB43 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA03 ,  2H025DA40 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096BA10 ,  2H096HA01 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04