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J-GLOBAL ID:200903070877973739

表面加工及び断面観察装置の偏向回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小川 勝男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992061829
Publication number (International publication number):1993267409
Application date: Mar. 18, 1992
Publication date: Oct. 15, 1993
Summary:
【要約】【構成】従来の集束イオンビーム装置の構成(1〜15,19,23)に、加工位置指定ポインター回路21と加工領域記憶回路22と加工プログラム登録回路19と加工プログラム算出回路17と偏向信号発生回路16を具備すること。【効果】集束イオンビームの加工領域の指定を、加工前の試料表面の集束イオンビームによる二次電子像又は二次イオン像の上のポインターで連続的に指定を行うことにより、任意の曲線の断面加工の指定ができ、また、加工領域を加工時間とともにシフトする加工プログラムの登録により深さ方向に対して傾斜した断面も得られる。
Claim (excerpt):
イオンを発生する手段と静電レンズとスリットによって構成されるイオンビーム集束手段を具備して集束イオンビームを試料表面に照射して、イオンビームをXY偏向する手段と二次電子又は二次イオンを検出する手段とその二次電子像信号又は二次イオン像信号を記憶し表示する手段を具備して試料表面から放出される二次電子又は二次イオンを検出し、所望の領域の試料表面像を得、二次電子像又は二次イオン像上で指定する試料表面に集束イオンビームを照射する手段を具備して表面加工し、次に、試料を傾斜させる手段を具備して前記試料表面像を得る手段により断面観察する表面加工及び断面観察装置に於いて、二次電子像又は二次イオン像と同時に表示され位置指定入力できるポインタ手段とポインタにより指定された加工領域指定を記憶する手段と加工時のパラメータを入力し登録する手段と加工時のXY座標列を算出する手段とを具備して、試料表面に照射する集束イオンビームの偏向を、X座標とY座標と照射時間の任意の組合わせで、表面加工することができることを特徴とする表面加工及び断面観察装置の偏向回路。
IPC (5):
H01L 21/66 ,  G01B 15/00 ,  H01J 37/28 ,  H01J 37/30 ,  H01L 21/302

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