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J-GLOBAL ID：200903070878183740
薄膜EL素子の製造方法およびEL発光層成膜装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992221841
Publication number (International publication number)：1994068976
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】硫化物を主材料とするEL薄膜素子の発光層を硫化水素を含むスパッタリングガスを用いて成膜する際、ターゲツト表面に硫黄成分が付着することを防止して再現性よく結晶性良好な発光層を成膜する。【構成】陽極に装着される成膜基板と、陰極に装着されるターゲツトの間の空間で、ターゲツト表面近傍で低くなるような硫化水素濃度分布をスパッタリングガスに形成してスパッタリングすることにより、硫黄の析出が防止できる。ターゲツトとして金属ターゲツトを用いる反応性スパッタリングにおいても同様に実施できる。そのような硫化水素濃度分布は、陽極、陰極間の空間の側方の反応槽壁の陰極に近い方に純Ar導入口を、陽極に近い方にArとH2 Sの混合ガスの導入口を設け、対向する側の壁から真空排気することにより形成する。
Claim (excerpt)：
発光中心を添加した硫化物からなる発光層の成膜を、発光層成分元素を含む材料からなるターゲツトを被成膜基板に対向させ、ターゲツトから基板に向かう方向においてターゲツト表面近傍で低くなる硫化水素の濃度分布を有するスパッタリングガスを用いてのスパッタリングにより行うことを特徴とする薄膜EL素子の製造方法。
IPC (2)：
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