Pat

J-GLOBAL ID：200903070890217080

クラスレート結晶構造シリコン材料とその製造方法

Inventor： 宗藤 伸治 ,  森口 晃治 ,  米村 光治 ,  沢崎 立雄 ,  柴垣 茂樹 ,  白川 義徳 ,  池田 直紀
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 穂上 照忠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999063851
Publication number (International publication number)：2000256093
Application date： Mar. 10, 1999
Publication date： Sep. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】他の元素を含まないシリコン原子のみからなるクラスレート結晶とその製造方法の提供【解決手段】(1)シリコン原子の包接格子であるSi46の単位結晶格子と、同じく包接格子であるSi136の単位結晶格子とが混在したシリコン原子のみからなる複合結晶構造のシリコン材料。(2)シリコンのクラスレート化合物結晶の上にアモルファスシリコン層を形成させ、これを加熱してエピタキシャル成長させる上記(1)のシリコン材料の製造方法。(3)BaxRySi46-y(ここで、x=1〜8、y=1〜6、RはAgまたはAu)の化合物クラスレート結晶の上に、450°C以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450°C超1300°C以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。

Claim (excerpt)：

シリコン原子の包接格子であるSi20とSi24とで構成されるSi46の単位結晶格子と、同じく包接格子であるSi20とSi28とで構成されるSi136の単位結晶格子とが混在した複合結晶構造のシリコン材料。

IPC (5)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 504 ,  C01B 33/02 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/46

FI (5)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 504 K ,  C01B 33/02 D ,  C23C 14/14 A ,  C23C 14/46 Z

F-Term (22)：

4G072AA01 ,  4G072AA20 ,  4G072BB09 ,  4G072FF09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH02 ,  4G072NN11 ,  4G072NN24 ,  4G072UU01 ,  4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DA03 ,  4G077DA11 ,  4G077DA15 ,  4G077ED01 ,  4G077HA06 ,  4K029AA06 ,  4K029BA35 ,  4K029BB02 ,  4K029CA08