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J-GLOBAL ID：200903070890723490

超伝導薄膜およびその製造方法

Inventor： 市川 洋 ,  瀬恒 謙太郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991344520
Publication number (International publication number)：1993171414
Application date： Dec. 26, 1991
Publication date： Jul. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】Tl系組成の層状酸化物超伝導薄膜と、Bi-Ta系の層状酸化物絶縁体薄膜が交互に積層された超伝導薄膜とすることにより、超伝導転移温度が高いかつ安定に再現性よく得る。【構成】基体47上に、主成分としてTlを含む酸化物と、主成分としてCuおよびアルカリ土類(IIa族)を含む酸化物とをそれぞれターゲット41と42から飛来させ周期的に積層させて形成する酸化物薄膜と、少なくともBiを含む酸化物と少なくともW含む酸化物とをそれぞれターゲット43、44から飛来させて周期的に積層させて形成する酸化物薄膜とを交互に積層させる。これにより再現性よくTl-Ba-Ca-Cu-O薄膜とBi-W-O薄膜との積層体を得る。

Claim (excerpt)：

基体上に、主体成分が少なくともタリウム(Tl)、銅(Cu)及びアルカリ土類(IIa族)から成る層状酸化物超伝導薄膜と、主体成分が少なくともBi及びタングステン(W)から成る層状酸化物絶縁体薄膜が交互に積層された超伝導薄膜。(ここでアルカリ土類は、IIa族元素のうちの少なくとも一種あるいは二種以上の元素を示す。)

IPC (6)：

C23C 14/08 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 29/00 ZAA ,  C23C 14/34 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA