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J-GLOBAL ID：200903070917051236

素子分離方法

Inventor： 佐野 純一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996043678
Publication number (International publication number)：1997237784
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 Si膜の表面を酸化して、Si膜の深さ方向に厚い熱酸化によるパイロ酸化膜を形成する場合に生じる長い熱酸化時間を低減する。【解決手段】 Si膜1上にパッド酸化膜2、酸化抑止膜3の順序に形成する工程と、パッド酸化膜2上に形成されている酸化抑止膜3を所定形状にパターニングした後、フッ素7を所定形状の酸化抑止膜5以外の領域のSi膜1にイオン注入する工程と、注入されたフッ素を含むSi膜をパイロ酸化する工程とにより、従来と比べてパイロ酸化時間を半減させる。

Claim (excerpt)：

Si製LSIのLOCOSによる素子分離方法において、Si膜上に酸化抑止膜を形成する工程と、酸化抑止膜を所定形状にパターニングした後、フッ素を所定形状の酸化抑止膜以外の領域のSi膜にイオン注入する工程と、注入されたフッ素を含むSi膜をパイロ酸化する工程とを備えることを特徴とする素子分離方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (3)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/76 M