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J-GLOBAL ID：200903070918784105

磁気抵抗効果多層膜

Inventor： 野口 伸 ,  藤井 重男
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996082788
Publication number (International publication number)：1997275233
Application date： Apr. 04, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ハードディスク装置の記録密度は年々飛躍的に上昇している。このニーズにマッチした高記録密度に対応できる高感度再生ヘッドを提供するものである。【解決手段】 非磁性層で分離された2層以上の強磁性層を有し、反強磁性層からの交換結合磁界が印加されるピン層と交換結合磁界が印加されないフリー層からなる磁気抵抗効果多層膜の構成であって、ピン層はCoで形成され、Ni-Mnによる反強磁性層からの交換結合磁界は25kA/m以上で飽和している。

Claim (excerpt)：

非磁性層で分離された2層以上の強磁性層を有し、この分離された強磁性層のうち1層は隣接する反強磁性層からの交換結合磁界が印加される構造の磁気抵抗効果多層膜において、前記反強磁性層から交換結合磁界が印加される強磁性層はCoで形成されるとともに、該Co層の磁化が隣接する反強磁性層からの交換結合磁界によって飽和していることを特徴とする磁気抵抗効果多層膜。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  G01R 33/06 R