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J-GLOBAL ID：200903070926692562

半導体インゴットの加工方法及びその装置

Inventor： 小林 祥三
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 猪股 祥晃
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994102498
Publication number (International publication number)：1995308849
Application date： May. 17, 1994
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】素材の歩留りの向上とオリフラ面の角度の検査時間の短縮を図る。【構成】インゴット3の外周に形成したオリフラ面に基準サンプルを取り付け、この基準サンプルの表面にX線を照射する。このX線の回折線の量が最大となる角を読み取り、この最大となる角度と基準サンプル取付面との角度との差がX線発生部5の照射角度を補正する。

Claim (excerpt)：

円柱状の半導体インゴットの表面にX線を照射し、このX線の回折線を測定して前記半導体インゴットのオリフラ位置を決定する工程と、前記半導体インゴットのオリフラ位置を加工して形成されたオリフラ面に基準サンプルを載置しこの基準サンプルの外面にX線を照射してこのX線の回折光が最大となる前記X線の入射角を求める工程と、この工程で求めた前記X線の入射角で前記半導体インゴットの表面に照射する前記X線の照射角を補正する工程とよりなる半導体インゴットの加工方法。

IPC (5)：

B24B 9/00 ,  B24B 1/00 ,  B24B 49/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 311