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J-GLOBAL ID：200903070928083121

パターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  竹村 勝也 ,  名倉 茂広
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998186952
Publication number (International publication number)：1999072928
Application date： Jun. 17, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【解決手段】 基板上に、酸不安定基を有し、酸によりこの酸不安定基が脱離することによってアルカリ可溶性を示すベース樹脂と、光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、塩基性化合物と、これらの成分を溶解する有機溶剤とを含む化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、必要によりプリベークした後、露光し、次いでポストエクスポジュアーベークし、アルカリ水溶液で現像して、上記基板上にポジ型パターンを形成する方法において、上記ポストエクスポジュアーベークを15〜30°Cにおける関係温度が30%以上の環境でホットプレート上、70〜140°Cで30〜200秒間行うようにしたことを特徴とするパターン形成方法。【効果】 本発明によれば、アセタールの脱離反応を促進させ、パターンを安定して得ることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に、酸不安定基を有し、酸によりこの酸不安定基が脱離することによってアルカリ可溶性を示すベース樹脂と、光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、塩基性化合物と、これらの成分を溶解する有機溶剤とを含む化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、必要によりプリベークした後、露光し、次いでポストエクスポジュアーベークし、アルカリ水溶液で現像して、上記基板上にポジ型パターンを形成する方法において、上記ポストエクスポジュアーベークを15〜30°Cにおける関係湿度が30%以上の環境でホットプレート上、70〜140°Cで30〜200秒間行うようにしたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 566