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J-GLOBAL ID：200903070939178256

半導体装置

Inventor： 石井 利昭 ,  江口 州志 ,  永井 晃 ,  瀬川 正則 ,  小角 博義 ,  荻野 雅彦 ,  茂木 亮
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995116805
Publication number (International publication number)：1996316374
Application date： May. 16, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【構成】半導体素子搭載面を有するプリント配線基板3の搭載面裏面に、はんだボール4をグリッド状に配した実装面を有し、実装面と電気的に接続されている半導体素子搭載面に半導体素子を搭載固着し、半導体素子電極部分と多層プリント配線基板とが電気的に接続されており、半導体素子と電気接続部を含む半導体素子搭載面の少なくとも一部分が樹脂組成物6で成形かつ封止されている構造を有する半導体装置において、封止層の成形を封止樹脂組成物6のガラス転移温度以下の温度で行う。【効果】成形温度以上のガラス転移温度を有する樹脂組成物で封止されているため成形時の収縮率が小さく、パッケージの反り量が小さく、はんだボール搭載面の平坦性に優れる。

Claim (excerpt)：

半導体素子の搭載面を有するプリント配線基板の搭載面の裏面に、はんだボールをグリッド状に配した実装面を有し、前記実装面と電気的に接続されている前記半導体素子の搭載面に前記半導体素子を搭載固着し、前記半導体素子の電極部分と前記プリント配線基板とが電気的に接続されており、前記半導体素子と電気接続部を含む前記半導体素子の搭載面の少なくとも一部分が樹脂組成物で成形かつ封止されている構造を有する半導体装置において、前記樹脂組成物による封止成形が、樹脂組成物硬化物のガラス転移温度以下の温度で行われることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/28

FI (2)：

H01L 23/30 R ,  H01L 23/28 A