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J-GLOBAL ID：200903070941893809

半導体集積回路

Inventor： 田中 美紀 ,  桜井 幹夫
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992342090
Publication number (International publication number)：1994195969
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低電圧化された際にも十分な昇圧レベルを得ることができる半導体集積回路装置を提供する。【構成】 電源電圧検出回路11には電源電圧Vcc、リファレンスレベルR、昇圧レベルが必要なときに造られる信号Cが入力される。電源電圧検出回路11は、電源電圧VccとリファレンスレベルRとの差を感知し、その値に応じて信号AまたはBを生成し、それによって切替スイッチとなるトランジスタTrA、TrBのいずれかのゲートをオンし、昇圧信号発生回路2で生成された信号によっていずれかのブースト容量Ca,Cbを用いて昇圧し、内部回路へ送る。

Claim (excerpt)：

電源電圧レベルを検出する手段と、複数の昇圧レベルを準備する昇圧手段と、前記検出手段および昇圧手段に接続され、前記検出された電源電圧レベルに応じて前記複数の昇圧レベルのうち所望の昇圧レベルを選択する手段とを含む、半導体集積回路。

IPC (4)：

G11C 11/407 ,  G05F 1/56 310 ,  H02M 3/07 ,  H03K 19/094

FI (2)：

G11C 11/34 354 F ,  H03K 19/094 D