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J-GLOBAL ID：200903070963943982
半導体発光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993221772
Publication number (International publication number)：1994318731
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 光出射効率を向上させることができ、かつ、実装が容易な半導体発光装置を提供する。【構成】 この半導体発光装置は、PN接合面Jに対向するP型半導体部3の表面3aから、PN接合面Jを貫通し、N型半導体部2を貫通してN型基板1に達する溝9と、表面3aに溝9を挟んで設けられたP電極5およびN電極4とを備える。さらに、P電極5およびN電極4にバンプ電極12を設ける。【効果】 光出射面である表面1aに、光を遮る電極がない。バンプ電極12,12でフリップチップボンディングできる。
Claim (excerpt)：
第1導電型層と第2導電型層との接合面近傍から光を発生させる半導体発光装置において、上記接合面に対向する上記第1導電型層の対向面または上記接合面に対向する上記第2導電型層の対向面の一方から、上記接合面を貫通し、上記第2導電型層または第1導電型層に達する溝と、上記第1導電型層の対向面または第2導電型層の対向面の一方に、上記溝を挟んで設けられた正電極および負電極と、上記正電極および負電極に設けられた突起電極とを備え、上記接合面近傍で発生し、上記第1導電型層の対向面または第2導電型層の対向面の他方を通過した光を外部に取り出すようにしたことを特徴とする半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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