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J-GLOBAL ID：200903070968516454
低雑音増幅器
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991261153
Publication number (International publication number)：1993075357
Application date： Sep. 10, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 使用周波数帯域を変えた場合にFET部分の雑音の最適整合を行うことができる低雑音増幅器を得ること。【構成】 FET9のソース電極と接地との間に直列接続したマイクロストリップ線路10及び可変容量ダイオード14と、それらと並列に接続したRFチョークコイル15とを設けた可変周波数帯域整合回路19を備えたので、使用周波数帯域を変えた場合に可変周波数帯域整合回路19のインピーダンスを可変することができ、FET9の雑音の最適整合を行うことができる。
Claim (excerpt)：
入力側に設けられた第1の可変周波数帯域整合手段と,入力マイクロ波信号を増幅する電界効果トランジスタと,出力側に設けられた第2の可変周波数帯域整合手段とを備えた低雑音増幅器において、上記電界効果トランジスタのソース電極と接地との間に直列に接続したマイクロストリップ線路及び可変容量と、それらと並列に接続したRFチョークコイルとを有する第3の可変周波数帯域整合手段を備えたことを特徴とする低雑音増幅器。
IPC (3)：
H03F 3/19
, H03F 1/26
, H03F 3/60
