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J-GLOBAL ID：200903070980952499

薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法

Inventor： 今 田 龍 夫 ,  小 関 秀 夫 ,  桑 田 純 ,  松 永 浩 二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 蔵合 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992349111
Publication number (International publication number)：1994232399
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 TFTアレイにおいて、ゲート絶縁膜として、アルミニウムを主成分とするゲート電極の一部を陽極酸化した酸化膜と、酸化タンタル膜の積層構造を採用することにより、ゲート・ソース電極間の電気的短絡を低減することで歩留まりの向上を図る。【構成】 アルミニウムを主成分とするゲート電極/配線4を所定のパターンに形成し、ゲート電極/配線4上の一部を陽極酸化して酸化アルミニウム膜12を形成し、ゲート電極/配線4および酸化アルミニウム膜12上に酸化タンタル膜13を形成する。酸化アルミニウム膜12と酸化タンタル膜13がゲート電極/配線4の追加されたゲート絶縁膜として働くので、ゲート・ソート電極間の電気的短絡が制御される。

Claim (excerpt)：

透明絶縁基板と、前記基板上に所定のパターンに形成されたアルミニウムを主成分とするゲート電極と、前記ゲート電極の一部を陽極酸化した酸化膜と、前記ゲート電極および陽極酸化膜上に形成された酸化タンタル膜とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-000164
  
• 特開平4-116524
  
• 特開平2-085826
  
• 特開平4-299865