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J-GLOBAL ID：200903071026761417

GaN系化合物半導体結晶の製造方法

Inventor：
甲斐荘 敬司

About 甲斐荘 敬司

, 
佐々木 伸一

About 佐々木 伸一


Applicant, Patent owner：
株式会社日鉱マテリアルズ

About 株式会社日鉱マテリアルズ


Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001187648
Publication number (International publication number)：2003007621
Application date： Jun. 21, 2001
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：
【要約】【課題】 冷却工程の前に希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶基板を還元処理して除去することにより、GaN系化合物半導体結晶にクラックが発生するのを防止できるGaN系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト(NdGaO3)結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、GaN系化合物半導体結晶を基板上に成長させた後、窒素原子を供給可能な物質(NH3等)を混入された水素(H2)雰囲気中で希土類13族ペロブスカイト結晶基板に還元処理を施すようにした。
Claim (excerpt)：
1または2種類以上の希土類元素を含む希土類13(3B)族ペロブスカイト結晶を基板としてその表面にGaN系化合物半導体結晶を成長させる方法において、GaN系化合物半導体結晶を前記基板上に成長させた後、窒素原子を供給可能な物質を混入した水素雰囲気中にさらして前記希土類13族ペロブスカイト結晶基板に熱処理を施すことを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C
F-Term (24)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA67 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AF05 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045HA16 ,  5F052KA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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