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J-GLOBAL ID：200903071027990525

半導体処理装置

Inventor： 村上 公一 ,  吉田 卓
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992188177
Publication number (International publication number)：1994037006
Application date： Jul. 15, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体処理装置に関し、ウェハ表面の雰囲気にN2 ガス気流の影響を与えることなく、ウェハ表面の雰囲気を高温で安定させ、ウェハ表面の放熱量を少なくしてウェハ表面の膜厚を均一に処理することができる半導体処理装置を実現することを目的とする。【構成】 ウェハ22の外側にウェハ表面の雰囲気に影響を与えることなく、N2 ガスを供給できる穴16を等間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部熱板10と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可能な上部熱板13とを具備して成るように構成する。

Claim (excerpt)：

ウェハ(22)の外側にウェハ表面の雰囲気に影響を与えることなく、N2 ガスを供給できる穴(16)を等間隔に有し、且つ該ウェハの下部に温度制御可能な下部熱板(10)と、該ウェハの上部に平行に位置し温度制御可能な上部熱板(13)とを具備して成ることを特徴とする半導体処理装置。