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J-GLOBAL ID：200903071035754407

単結晶基板の表面にエピタキシャル薄膜を形成する方法

Inventor： 山口 巖 ,  真部 高明 ,  熊谷 俊弥 ,  水田 進 ,  鈴木 茂 ,  山口 泰明 ,  清水 紀夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265134
Publication number (International publication number)：2002068900
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】アルミナ単結晶基板上に、希土類金属とアルミニウムよりなる複合酸化物のエピタキシャル薄膜を形成する新規な方法の提供。【解決手段】アルミナ単結晶基板の表面に、希土類金属:アルミニウム:酸素の組成が1:1:3である複合酸化物からなるエピタキシャル薄膜を形成する方法において、希土類金属含有化合物を溶媒に溶解させ、均一な溶液とし、アルミナ単結晶表面に塗布乾燥させ、薄膜を形成し、加熱焼成することを特徴とする、アルミナ基板上に希土類金属とアルミニウムからなる複合酸化物のエピタキシャル薄膜を形成する方法。

Claim (excerpt)：

アルミナ単結晶基板の表面に、希土類金属:アルミニウム:酸素の組成が1:1:3である複合酸化物からなるエピタキシャル薄膜を形成する方法において、希土類金属含有化合物を溶媒に溶解させ、均一な溶液とし、アルミナ単結晶表面に塗布乾燥させ、薄膜を形成し、加熱焼成することを特徴とする、アルミナ基板上に希土類金属とアルミニウムからなる複合酸化物のエピタキシャル薄膜を形成する方法。

IPC (2)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/22 501

FI (2)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/22 501 C

F-Term (5)：

4G077AA03 ,  4G077BC01 ,  4G077CB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平1-197303
  
• 超電導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-185213   Applicant：工業技術院長, 日本化学産業株式会社